Toshiba发布用于工业设备的第三代SiC MOSFET采用四引脚封装可降低开关损耗
编辑:admin 发布时间:2023-09-04 浏览:140

  这些新产品是Toshiba首次采用四引脚TO-247-4L(X)封装的SiC MOSFET系列,支持在栅极驱动信号源端实现开尔文连接。该封装可降低封装内部源线电感的影响,提升高速开关的性能。与Toshiba现有三引脚TO-247封装产品TW045N120C相比,新TW045Z120C系列的导通损耗降低约40%,关断损耗降低约34%[2],从而有助于降低设备功率损耗。

  未来Toshiba将继续扩大产品阵容,以顺应市场趋势,并为提高设备效率和扩大功率容量做出贡献。

  * 本文档中的信息(包括产品价格和规格、服务内容和联系信息)截至公告发布之日是最新的,但可能会在不事先通知的情况下发生变更。

  Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是一家领先的先进半导体和存储解决方案供应商,依托半个多世纪的经验与创新优势,为客户和业务合作伙伴提供杰出的半导体分立器件、系统LSI和HDD产品。

  免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

  Toshiba:用于工业设备的第三代SiC MOSFET,采用四引脚封装,可降低开关损耗。(图示:美国商业资讯)

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